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      漏源电压（yā）BV DSS (V)(Min.)：

      650

      导通（tōng）电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      70

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      74

      最大漏极电流Id(on)(A)：

      47

      通道极（jí）性：

      N沟道

      封装（zhuāng）/温度(℃)：

      TO-263-2L(D2PAK)/-55~125

      描述（shù）：

      650V,74mΩ,47A,N沟（gōu）道基（jī）于（yú）超级结技（jì）术（shù）的功率MOSFET



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